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黑硅多晶工藝
  • 采用國際先進濕法黑硅技術,利用特殊輔助添加劑,在低成本金剛線切割硅片表面,制備全波段低反射率、高量子相應、鈍化能力強的亞納米級規則絨面。

  • Centrotherm高端精密低壓擴散設備,完全自動化上下料,以升溫擴散,逐步推進的方式,在P型硅表面形成N型層,得到光伏電池發電核心PN結。變溫梯度推進的擴散方式有效摻雜較傳統恒溫擴散光電轉換效率大大提高。

  • 利用RENA濕法刻蝕,高精密溫度控制和混合溶液配比,搭載完善的過程監控系統和可視化操作界面,充分利用“毛細效應”,去除擴散后四周N型層,打造完美刻蝕線條,加之“水膜”技術的引進,摒除“水紋印”及其“滴落”等的弊端。

  • 匹配Centrotherm高端精密設備,開發應用抗PID(電位誘發衰減現象)PECVD工藝,使生產的電池產品在組件雙85條件下老化測試,120小時后衰減低于2%。另外,在保證優異的抗PID性能的前提下,創新開發可降低工藝時間的PECVD成膜技術,使PE產能大幅度提升。

  • 國際一流絲網印刷設備,高品質的金屬漿料,匹配五主柵網版圖形設計,確保良好的導電性、可靠的附著力和優良的電極可焊性,達到高精度和高平整度的絲網印刷品質。并匹配高溫快速燒結工藝配方,使其與硅片共融,形成合金,進一步提高產品質量。

  • 創新的設備定位設計、權威的機構對標校準,嚴謹的周轉時間研究、打造業內最快、最準的測試分選系統。

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